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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6516是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通损耗与高效的开关性能，具体表现为在10V Vgs下导通电阻（Rds(On)）低至5毫欧（@20A），以及仅33nC（@10V）的低栅极电荷。
该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在管壳温度（Tc）下高达32A，具备强大的功率处理能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在恶劣环境下的可靠性。这些特性使其成为同步整流、电机控制和各类DC-DC转换器等高效能、高密度电源应用的优选功率开关解决方案。
基本参数：
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