AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AOD1R4A70及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD1R4A70是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，隶属于其aMOS产品系列。该器件核心优势在于其700V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至1.4欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，能够在高压应用中有效降低导通损耗。
此外，其极低的栅极电荷（Qg，最大8nC）和输入电容确保了快速的开关特性，有利于提升开关电源的工作频率和效率。器件在壳温下支持3.8A的连续漏极电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，提供了强大的功率处理能力和宽广的工作温度范围，满足工业级应用的可靠性要求。
基本参数：
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询