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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB25S65L是一款采用TO-263封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS的aMOS产品系列。其核心规格为650V漏源电压（Vdss）和25A连续漏极电流（Id），为高压大功率应用提供了坚实的基础。
该器件的显著优势在于其优异的动态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）低至190毫欧（@12.5A），有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为26.4nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。
基本参数：
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