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AONY36354是一款30V耐压的双N沟道非对称功率MOSFET阵列，采用表面贴装封装。其核心卖点在于集成了两个具有不同导通电阻（低至2.6毫欧和5.3毫欧）的MOSFET，提供了优异的导通性能和电流处理能力（壳温下分别高达85A和49A），能有效降低系统导通损耗。

该器件针对高频开关应用优化，具有较低的栅极电荷和输入电容，有助于提升开关效率并减少损耗。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）和扁平引线封装确保了在高功率密度应用中的热可靠性和布局便利性，主要面向服务器、通信设备、计算机及工业领域的DC-DC电源转换和电机驱动解决方案。

• 型号:AONY36354
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Ta），49A（Tc），27A（Ta），85A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.3 毫欧 @ 20A，10V，2.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A，1.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 10V，40nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:820pF @ 15V，1890pF @ 15V
• 功率 - 最大值:3.1W（Ta），21W（Tc），3.1W（Ta），31.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• AONY36354，AOS产品一站式供应商。