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AOD478是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值，以及出色的电流承载能力，其在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流（Id）可达11A，确保了强大的功率处理性能。

其技术亮点包括极低的导通电阻（Rds(on)最大值140mΩ @ 10V, 4.5A）和极小的栅极电荷（Qg最大值13nC @ 10V），这共同实现了高效的功率转换和较低的开关损耗。器件支持宽范围栅极驱动电压（最大±20V），阈值电压典型，易于驱动，并能在-55°C至175°C的结温范围内稳定工作，适用于要求严苛的应用环境。

• 型号:AOD478
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.5A/11A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta），11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD478，AOS产品一站式供应商。