AOD4185_003（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOD4185_003是AOS公司生产的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-252封装。该器件的核心电气特性使其适用于中高功率的开关应用，其漏源电压额定值为40V，并且在壳温25°C条件下能够支持高达40A的连续漏极电流，展现出优异的电流承载能力。

作为一款已标注为“停产”状态的器件，它代表了该电压与电流等级下一类成熟可靠的解决方案。其设计重点在于提供稳健的静态性能，适合用于需要P-MOSFET进行功率切换或控制的电路，例如电源管理、电机驱动及负载开关等场景。工程师在评估选用时，应结合其技术参数与产品生命周期状态进行综合考量。

制造商产品型号：AOD4185_003

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET P-CH 40V TO252

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

AOD4185_003，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOD4185_003

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET P-CH 40V TO252

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOD4185_003的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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