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零件图片（仅供参考）
AO3419L
规格参数

AO3419L是AOS推出的一款采用SOT-23-3封装的P沟道功率MOSFET。其核心优势在于在紧凑的封装内实现了低导通电阻与高电流能力的结合，最大漏源电压(Vdss)为20V，在25°C下可连续通过3.5A电流，典型导通电阻(Rds(on))在10V Vgs下仅为75毫欧，有效降低了导通损耗。

该器件具备优异的开关特性，栅极电荷(Qg)低至6.6nC，输入电容(Ciss)最大值为620pF，确保了快速的开关速度，适合高频应用。其栅极驱动电压兼容低至2.5V的逻辑电平，便于直接由微控制器或低压电源管理芯片驱动，简化了系统设计。工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在各种环境下的稳定性。

  • 制造商产品型号：AO3419L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 3.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.6nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：620pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO3419L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO3419L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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