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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB412L是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装，隶属于AOS的SDMOS系列。其核心电气参数针对高效功率开关应用进行了优化，具备100V的漏源电压（Vdss）和低至15.5毫欧（@10V，20A）的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统能效。
该器件在壳温（Tc）条件下可支持高达60A的连续漏极电流，最大功率耗散为150W，展现了强大的电流处理与散热能力。其栅极电荷（Qg）典型值较低，有利于实现快速开关，减少动态损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在严苛工业环境下的可靠性，适用于电源转换、电机驱动等高要求场景。
基本参数：
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