AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF11N60L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压与低至650毫欧的导通电阻，这使其在高压开关应用中能够显著降低导通损耗，提升系统效率。
此外，其栅极电荷最大值仅为37nC，有助于实现快速的开关切换并减小驱动损耗。结合11A的连续漏极电流能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，该器件为工业电源、电机驱动等高要求应用提供了一个高效、可靠的功率开关解决方案。
基本参数：
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