AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6276是AOS公司基于其AlphaSGT技术推出的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装。该器件核心优势在于其优异的电气参数平衡：提供80V的漏源电压（Vdss）和高达100A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力，同时实现了极低的导通电阻，典型值仅为2.6毫欧（@20A，10V），这能显著降低功率损耗。
此外，其动态性能同样出色，最大栅极电荷（Qg）低至100nC（@10V），有利于实现高速开关并降低驱动损耗。结合215W（Tc）的功率耗散能力与宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C TJ），使其成为高功率密度和高效率电源转换、电机驱动等应用的理想选择。
基本参数：
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
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