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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7200L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装。该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度（Tc）条件下可持续处理高达40A的电流，并具备低至8毫欧（@10V Vgs， 20A）的导通电阻，能有效降低传导损耗。
其设计兼顾了开关性能与驱动简易性，最大栅极电荷仅为20nC，有助于实现高效快速的开关动作。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，功率耗散能力达62W（Tc），适用于高功率密度和高可靠性的应用环境。
基本参数：
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