AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7418_002是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效能功率转换设计。其核心优势在于极低的导通电阻（1.7mΩ @ 20A, 10V）与较低的栅极电荷（65nC @ 10V），这共同确保了器件在导通和开关过程中均能实现极低的功率损耗。
该器件额定漏源电压为30V，在25°C下可承载高达46A（Ta）或50A（Tc）的连续漏极电流，具备出色的电流处理能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与表面贴装形式，使其能够可靠地应用于各种高密度、高要求的电源管理及电机驱动场景。
基本参数：
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