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AON6504_001是一款由AOS制造的N沟道MOSFET，采用8-DFN（5x6）紧凑型表面贴装封装。其核心电气规格包括30V的漏源电压（Vdss）以及高达85A（Tc）的连续漏极电流处理能力，这使其在低压、大电流应用场景中表现出色。

该器件设计用于优化功率密度和热性能，适合在高负载开关电路中工作。其主要卖点在于其高电流承载能力，能够有效降低系统在导通状态下的功率损耗，提升整体能效。典型的应用方向包括同步整流、电机驱动和负载开关等功率管理模块。

• 制造商产品型号：AON6504_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• AON6504_001，AOS产品一站式供应商。