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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6448L 是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP表面贴装封装。其核心卖点在于80V的漏源电压（Vdss）额定值以及极低的导通电阻，在10V Vgs和10A Id条件下，Rds(On)最大值仅为9.6毫欧，能显著降低通态损耗。
该器件具备快速开关能力，最大栅极电荷（Qg）为53nC，有助于提升开关电源等应用的频率和效率。其热设计稳健，在壳温（Tc）条件下可支持高达65A的连续漏极电流和83W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。
基本参数：
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