

AOD502是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡,具备25V的漏源电压额定值,并在管壳温度下支持高达46A的连续漏极电流。
该器件在10V Vgs下的导通电阻低至8毫欧(@20A),能显著降低传导损耗。同时,其最大栅极电荷仅为18nC,输入电容为1187pF,这确保了快速的开关速度和较低的高频开关损耗,有利于提升电源系统的整体效率和功率密度。其宽广的工作结温范围(-55°C ~ 175°C)也保障了在各种环境下的稳定运行。



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