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AO4407AL_102是一款采用8-SOIC封装的P沟道功率MOSFET，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。其核心电气参数针对高效功率开关应用进行了优化，具备30V的漏源电压（Vdss）额定值和在25°C下高达12A的连续漏极电流处理能力。

该器件的显著优势在于其极低的导通损耗，在20V Vgs和12A Id条件下，导通电阻最大值仅为11毫欧。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在39nC（@10V），这有利于实现快速的开关速度并简化驱动电路设计。这些特性使其成为空间受限的便携式设备电源管理、负载开关及低压DC-DC转换等应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AO4407AL_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 12A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：39nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2600pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4407AL_102，AOS产品一站式供应商。