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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD4102 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数针对低压、高效率应用进行了优化，具备 30V 的漏源电压（Vdss）和低至 37 毫欧 @ 10V, 12A 的导通电阻（Rds(on)），能有效降低导通损耗。
器件在管壳温度（Tc）25°C 下可承载高达 19A 的连续漏极电流，并拥有仅 6.6nC 的栅极电荷（Qg），支持快速开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）与 21W（Tc）的最大功率耗散能力，确保了在 demanding 应用环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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