AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4822L_101是AOS公司生产的一款双N沟道功率MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装内。该器件每个通道具备30V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id）处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和8A Id条件下，Rds(on)最大值仅为19毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统能效。
此外，其栅极电荷（Qg）最大值低至18nC，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。器件兼容逻辑电平驱动，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，采用表面贴装形式，适用于高密度PCB布局。这些特性使其成为空间受限且要求高效率的电源转换和电机驱动应用的理想选择。
基本参数：
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