AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF412是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SDMOS产品系列。该器件采用金属氧化物半导体技术，核心额定参数为漏源电压100V，在管壳温度条件下可处理高达30A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。
其关键优势在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下导通电阻最大值仅为15.8毫欧，能显著降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（54nC @10V）和输入电容支持高效的快速开关操作。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗33W（Tc），确保了在严苛环境下的高可靠性，适用于各类电源转换与电机驱动应用。
基本参数：
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