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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOE6936是AOS公司生产的一款表面贴装、双N沟道MOSFET阵列。该器件采用8-VDFN封装，集成了两个非对称的N沟道MOSFET，漏源电压（Vdss）为30V，具备高电流处理能力，在25°C壳温下连续漏极电流额定值分别高达55A和85A。
其核心优势在于极低的导通电阻与优化的开关性能。两个MOSFET在10V Vgs、20A Id条件下的导通电阻最大值分别仅为5毫欧和2毫欧，有效降低了传导损耗。同时，较低的栅极电荷（最大值15nC/25nC @4.5V）有助于实现快速开关，减少开关损耗，提升系统整体效率。该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业与消费类应用。
基本参数：
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