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AON2801L是AOS公司生产的一款采用6-WDFN封装的双P沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的P沟道标准MOSFET，每个通道具备20V的漏源电压（Vdss）额定值和3A（Ta）的连续漏极电流能力。

其核心电气性能优势在于低至120毫欧（@ 3A, 4.5V）的导通电阻，配合仅6.5nC（@ 4.5V）的栅极电荷，实现了高效率与快速开关特性的良好结合。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业与消费类应用环境。

• 制造商产品型号：AON2801L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH DUAL DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 P 沟道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta）
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.5nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：700pF @ 10V
• 功率-最大值：1.5W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：6-WDFN
• AON2801L，AOS产品一站式供应商。