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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON2801L是AOS公司生产的一款采用6-WDFN封装的双P沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的P沟道标准MOSFET，每个通道具备20V的漏源电压（Vdss）额定值和3A（Ta）的连续漏极电流能力。
其核心电气性能优势在于低至120毫欧（@ 3A, 4.5V）的导通电阻，配合仅6.5nC（@ 4.5V）的栅极电荷，实现了高效率与快速开关特性的良好结合。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业与消费类应用环境。
基本参数：
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