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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7462是AOS公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气特性包括300V的漏源电压（Vdss）额定值，以及在10V栅极驱动下仅1.5欧姆的低导通电阻（Rds(On)），这有助于最小化功率损耗。
此外，该MOSFET具备优异的动态性能，其最大栅极电荷（Qg）仅为5.6nC，输入电容（Ciss）最大值为240pF，这共同实现了快速开关能力并降低了驱动损耗。器件提供900mA（Ta）/2.5A（Tc）的连续漏极电流能力，工作结温范围宽达-50°C至150°C，确保了在各类电源设计中的高可靠性和稳健性。
基本参数：
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