

AON6450L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN(5x6)表面贴装封装。该器件专为要求高功率密度和高效率的应用而设计,其核心电气参数表现突出。
该MOSFET具备100V的漏源电压额定值和高达52A(Tc)的连续漏极电流能力,这使其能够在48V总线系统中稳定可靠地处理大电流。紧凑的DFN封装集成了高效的散热焊盘,优化了热性能,非常适合空间受限的现代电源和电机驱动设计。



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