AOD4185L_DELTA（AOS，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOD4185L_DELTA是一款由AOS制造的40V P沟道功率MOSFET，采用TO-252封装。该器件的核心优势在于其高电流处理能力，在特定条件下可支持高达40A的连续漏极电流，适用于要求严苛的功率开关应用。

作为P沟道器件，它简化了高侧开关的驱动设计，无需复杂的电平转换电路即可由标准逻辑信号直接控制，有助于降低系统复杂性和成本。其40V的漏源电压额定值使其能够可靠地工作在多种工业与消费电子电源架构中。

制造商产品型号：AOD4185L_DELTA

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET P-CH 40V TO252

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

AOD4185L_DELTA，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOD4185L_DELTA

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET P-CH 40V TO252

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOD4185L_DELTA的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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