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AO3423是AOS推出的一款P沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，专为空间受限的高效功率管理应用而设计。其核心优势在于20V的漏源电压和2A的连续漏极电流能力，结合低至92毫欧的导通电阻，确保了在开关和导通状态下的低功率损耗。

该器件具备出色的开关特性，最大栅极电荷仅为6.6nC，且栅极阈值电压最大值为1.4V，使其能够被低电压逻辑信号高效驱动，简化了驱动电路设计并提升了系统响应速度。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）进一步保障了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。

• 型号:AO3423
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:92 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3423，AOS产品一站式供应商。