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零件图片(仅供参考)
规格参数
AO3423是AOS推出的一款P沟道MOSFET,采用SOT-23-3L封装,专为空间受限的高效功率管理应用而设计。其核心优势在于20V的漏源电压和2A的连续漏极电流能力,结合低至92毫欧的导通电阻,确保了在开关和导通状态下的低功率损耗。
该器件具备出色的开关特性,最大栅极电荷仅为6.6nC,且栅极阈值电压最大值为1.4V,使其能够被低电压逻辑信号高效驱动,简化了驱动电路设计并提升了系统响应速度。其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)进一步保障了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
制造商产品型号:AO3423制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)描述:MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):20V25°C时电流-连续漏极(Id):2A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):92 毫欧 @ 2A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):6.6nC @ 4.5VVgs(最大值):±12V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):620pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):1.4W(Ta)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:SOT-23-3LAO3423,AOS产品一站式供应商。
基本参数:
电子零件型号:AO3423
原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
技术标准参数:MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L
产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
点击此处查询AO3423的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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