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AON6590是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效率、高电流开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻与优异的开关特性，在10V Vgs下Rds(On)低至0.99毫欧，栅极电荷Qg仅为100nC，这共同确保了极低的传导与开关损耗，显著提升电源系统的整体能效。

该器件额定电压为40V Vdss，在Tc条件下可承载高达100A的连续漏极电流，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，具备强大的功率处理能力与可靠性。其4.5V的低驱动门限使其易于被标准逻辑电路驱动，适用于高密度DC-DC转换、服务器电源、电机控制及各类POL（负载点）解决方案，是追求高功率密度设计的理想选择。

• 型号:AON6590
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):67A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:0.99 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8320 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.3W（Ta），208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6590，AOS产品一站式供应商。