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AO3485C 是一款 P 沟道功率 MOSFET，采用 SOT-23-3 封装，专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。其核心优势在于20V 的漏源电压和 4A 的连续漏极电流处理能力，结合低至 41 毫欧（最大值）的导通电阻，能显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。

该器件具备低栅极驱动需求，其栅极阈值电压典型值较低，且栅极电荷小，使其能够被标准的 3.3V 或 5V 逻辑电平直接、快速地驱动，简化了驱动电路设计。宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性，适用于对空间和效率有严格要求的便携式电子设备及电源管理系统。

• 制造商产品型号：AO3485C
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：41 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：751pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-3
• AO3485C，AOS产品一站式供应商。