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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO3485C 是一款 P 沟道功率 MOSFET，采用 SOT-23-3 封装，专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。其核心优势在于20V 的漏源电压和 4A 的连续漏极电流处理能力，结合低至 41 毫欧（最大值）的导通电阻，能显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。
该器件具备低栅极驱动需求，其栅极阈值电压典型值较低，且栅极电荷小，使其能够被标准的 3.3V 或 5V 逻辑电平直接、快速地驱动，简化了驱动电路设计。宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性，适用于对空间和效率有严格要求的便携式电子设备及电源管理系统。
基本参数：
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