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AO4449L是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于中低功率的开关应用。

该器件的关键优势在于其低导通电阻，在10V Vgs条件下最大仅为34毫欧，能有效降低导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）为16nC，有助于实现高效的开关性能。器件支持宽泛的驱动电压（Vgs）范围，并可在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，满足多种环境要求。

• 型号:AO4449L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4449L，AOS产品一站式供应商。