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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT8N65_001是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装，专为高电压、高效率的开关应用而设计。其核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），提供了坚固的电气基础。
该器件的突出优势在于其优异的导通特性，在10V Vgs下导通电阻（Rds(on)）最大仅为1.15欧姆，配合28nC的低栅极电荷（Qg），有效平衡了传导损耗与开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，功率耗散能力达208W，确保了在严苛环境下的可靠性与散热性能。
基本参数：
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