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AOT8N65_001是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装，专为高电压、高效率的开关应用而设计。其核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），提供了坚固的电气基础。

该器件的突出优势在于其优异的导通特性，在10V Vgs下导通电阻（Rds(on)）最大仅为1.15欧姆，配合28nC的低栅极电荷（Qg），有效平衡了传导损耗与开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，功率耗散能力达208W，确保了在严苛环境下的可靠性与散热性能。

• 制造商产品型号：AOT8N65_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 8A TO220-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.15 欧姆 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3
• AOT8N65_001，AOS产品一站式供应商。