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AO6405_102是AOS公司生产的一款P沟道功率MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，在环境温度下可支持高达5A的连续漏极电流（Id），适用于中低功率的开关应用。

其核心电气优势在于优异的导通特性与开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大仅为52毫欧（@5A），能有效降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大11nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关响应和较低的高频开关损耗。其2.4V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）使其易于被标准逻辑电平驱动。

• 制造商产品型号：AO6405_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：520pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：6-TSOP
• AO6405_102，AOS产品一站式供应商。