AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6405_102是AOS公司生产的一款P沟道功率MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，在环境温度下可支持高达5A的连续漏极电流（Id），适用于中低功率的开关应用。
其核心电气优势在于优异的导通特性与开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大仅为52毫欧（@5A），能有效降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大11nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关响应和较低的高频开关损耗。其2.4V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）使其易于被标准逻辑电平驱动。
基本参数：
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