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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO3414是一款采用SOT-23-3L封装的N沟道MOSFET，其核心优势在于优异的电气性能组合。该器件在4.5V栅极驱动下提供低至50毫欧的导通电阻（Rds(on)）和仅6.2nC的栅极电荷（Qg），这有效降低了导通与开关损耗，提升了系统整体效率。
其20V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id）额定值，使其适用于多种低压、中电流场景。同时，低至1.8V的栅极驱动电压使其能直接兼容现代低电压逻辑电路，简化了设计。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的可靠性。
制造商产品型号：AO3414制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 20V 3A SOT23-3L系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：不用於新FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 4.2A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.2nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：436pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23-3LAO3414，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AO3414
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 3A SOT23-3L
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AO3414的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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