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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6404是一款采用6-TSOP封装的N沟道功率MOSFET，由AOS制造。其核心优势在于优异的导通电阻与栅极电荷性能组合，在10V Vgs下Rds(On)低至17mΩ，同时Qg仅为17.9nC，这使其在电源开关应用中能同时实现低导通损耗和高频开关效率。
该器件额定电压20V，连续电流能力达8.6A，并具备低至1.8V的驱动电压兼容性，可直接由低压逻辑电路驱动。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和紧凑的表面贴装封装，满足了现代高密度、高可靠性电子设备对功率器件的关键需求。
基本参数：
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