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AOB260L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为60V，在管壳温度（Tc）下可持续承受高达140A的漏极电流，并支持最大330W的功率耗散，具备强大的电流处理与散热能力。

其核心优势在于极低的功率损耗。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）低至2.2毫欧@20A，能显著降低传导损耗。同时，最大180nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关特性，有助于提升开关电源的效率与功率密度。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能满足工业及汽车等严苛环境的应用需求。

• 型号:AOB260L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14200 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB260L，AOS产品一站式供应商。