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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB260L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为60V，在管壳温度（Tc）下可持续承受高达140A的漏极电流，并支持最大330W的功率耗散，具备强大的电流处理与散热能力。
其核心优势在于极低的功率损耗。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）低至2.2毫欧@20A，能显著降低传导损耗。同时，最大180nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关特性，有助于提升开关电源的效率与功率密度。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能满足工业及汽车等严苛环境的应用需求。
基本参数：
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