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AOW2918是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装，核心额定参数为100V漏源电压（Vdss）。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为7毫欧 @ 20A，能显著降低功率应用中的传导损耗。

该器件具备出色的电流处理能力，壳温下连续漏极电流高达90A，并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围。其栅极电荷（Qg）较低，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于对效率和开关速度有要求的功率开关场景。

• 型号:AOW2918
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3430 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），267W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW2918，AOS产品一站式供应商。