AOW2918（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-262）

专注AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）产品销售十多年，服务全国数百家制造企业及科研院校！

AOS

AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载

我们为全球各个行业提供AOS AOW2918及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

零件图片（仅供参考）

规格参数

AOW2918是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装，核心额定参数为100V漏源电压（Vdss）。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为7毫欧 @ 20A，能显著降低功率应用中的传导损耗。

该器件具备出色的电流处理能力，壳温下连续漏极电流高达90A，并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围。其栅极电荷（Qg）较低，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于对效率和开关速度有要求的功率开关场景。

制造商产品型号：AOW2918

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），90A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 20A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：53nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3430pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），267W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-262

AOW2918，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOW2918

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOW2918的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

全球现货资源整合，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

AOS被热门搜索和购买的相关器件型号

AON4807_101

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

AO4946

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

AOB470L

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

AOZ1321DI-05

电源管理IC - 配电开关，负载驱动器

AOD3N60

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

AO4260

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价

AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列

AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询