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零件图片(仅供参考)
AOTF4126
规格参数

AOTF4126是一款采用TO-220-3F封装的N沟道功率MOSFET,隶属于AOS公司的SDMOS产品系列。其核心电气参数包括100V的漏源击穿电压(Vdss),在壳温(Tc)条件下可支持高达27A的连续漏极电流,并具备低至24毫欧(@10V,20A)的导通电阻,有效降低了导通损耗。

该器件同时优化了动态特性,最大栅极电荷(Qg)仅为42nC,有助于实现高效率的快速开关,减少开关损耗。其宽泛的工作结温范围(-55°C至175°C)与42W(Tc)的最大功耗能力,确保了其在严苛环境下的可靠性与强大的功率处理能力,适用于要求高耐压与高效能的功率开关应用。

  • 制造商产品型号:AOTF4126
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 6A/27A TO220-3F
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:SDMOS
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6A(Ta),27A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):7V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):42nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2200pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),42W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220-3F
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOTF4126
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 6A/27A TO220-3F
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF4126的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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