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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7426 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 8-DFN（3x3）紧凑型封装，专为高功率密度应用设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在 10V Vgs、18A Id 条件下典型值仅为 5.5 毫欧，配合 30V 的漏源电压和高达 40A（Tc）的连续电流能力，能有效降低导通损耗，提升系统整体效率。
器件具备优异的开关特性，总栅极电荷（Qg）低至 115nC，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源拓扑。其宽泛的驱动电压范围（4.5V-10V）和高达 ±20V 的 Vgs 耐受电压，提供了设计灵活性和可靠性。该 MOSFET 的工作结温范围覆盖 -55°C 至 150°C，结合其表面贴装形式，能满足严苛环境下的高可靠性应用需求。
基本参数：
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