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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF8N80是一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220-3F封装，专为要求高效率和可靠性的功率开关应用而设计。
其核心电气参数包括800V的漏源电压（Vdss）和7.4A的连续漏极电流（Id），确保了在高压输入环境下的稳健运行。器件具备较低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），这有助于减少导通与开关损耗，从而提升系统整体能效。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和50W的功率耗散能力，进一步保证了其在严苛环境下的长期可靠性。
基本参数：
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