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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4822AL_102是一款由AOS制造的双N沟道MOSFET阵列，采用8-SOIC封装。其核心优势在于将两个逻辑电平门控的MOSFET集成于单一芯片，栅极阈值电压低至2.4V，可直接由标准微控制器驱动，简化了电路设计。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻典型值仅为19毫欧，支持高达8A的连续漏极电流，能显著降低导通损耗。其栅极电荷低至18nC，确保了快速的开关响应，适用于高效率的功率转换场景。30V的漏源电压额定值与宽工作温度范围（-55°C至150°C）使其在严苛的工业与消费电子环境中保持稳定性能。
基本参数：
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