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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW7S65是AOS公司推出的一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-262通孔封装。该器件具备650V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id）能力，为核心功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优化的动态性能，包括较低的导通电阻（Rds(On)）和栅极电荷（Qg），这有助于显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。结合104W的功率耗散能力及-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够在苛刻的工业电源环境中稳定运行。
基本参数：
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