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AOW7S65是AOS公司推出的一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-262通孔封装。该器件具备650V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id）能力，为核心功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优化的动态性能，包括较低的导通电阻（Rds(On)）和栅极电荷（Qg），这有助于显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。结合104W的功率耗散能力及-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够在苛刻的工业电源环境中稳定运行。

• 制造商产品型号：AOW7S65
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 7A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9.2nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：434pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：104W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• AOW7S65，AOS产品一站式供应商。