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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF10N90是AOS推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心卖点在于900V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合10A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够胜任苛刻的高压大电流开关任务。
该器件在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提升系统效率。其优化的栅极电荷和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）进一步确保了其在工业电源、电机驱动等应用中的快速开关性能和稳定可靠性。
基本参数：
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