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AOTF12T60PL 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心规格包括600V的漏源电压(Vdss)和12A的连续漏极电流(Id)，适用于高压功率开关场合。

其技术亮点在于较低的导通电阻（典型值520mΩ @ 10V, 6A）与适中的栅极电荷（最大50nC @ 10V），这有助于降低导通与开关损耗，提升系统效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，满足工业环境对可靠性的要求。

• 型号:AOTF12T60PL
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2028 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF12T60PL，AOS产品一站式供应商。