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AO3162是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23表面贴装封装。其核心特性在于高达600V的漏源电压（Vdss）与极低的栅极电荷（Qg最大值0.15nC @ 10V），这使其在高压开关应用中能实现极低的驱动损耗和高速开关性能。

该器件在25°C下的连续漏极电流为34mA，导通电阻（Rds(on)）为500欧姆 @ 16mA, 10V。其宽泛的工作结温范围（-50°C ~ 150°C）和±30V的栅源电压容限，确保了在工业级环境下的稳定性和鲁棒性。这些参数共同定义了它作为高压、低功耗开关解决方案的定位。

• 型号:AO3162
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23A-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 8A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.39W（Ta）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23A-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• AO3162，AOS产品一站式供应商。