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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO3162是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23表面贴装封装。其核心特性在于高达600V的漏源电压（Vdss）与极低的栅极电荷（Qg最大值0.15nC @ 10V），这使其在高压开关应用中能实现极低的驱动损耗和高速开关性能。
该器件在25°C下的连续漏极电流为34mA，导通电阻（Rds(on)）为500欧姆 @ 16mA, 10V。其宽泛的工作结温范围（-50°C ~ 150°C）和±30V的栅源电压容限，确保了在工业级环境下的稳定性和鲁棒性。这些参数共同定义了它作为高压、低功耗开关解决方案的定位。
制造商产品型号：AO3162制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 600V 34MA SOT23系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：34mA（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：500 欧姆 @ 16mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 8A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：0.15nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.39W（Ta）工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23AO3162，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AO3162
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 34MA SOT23
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AO3162的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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