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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON3810是AOS推出的一款采用8-DFN封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个共漏极的逻辑电平MOSFET，其设计重点在于提供高效率的功率开关解决方案。
其核心电气参数表现出色，在10V Vgs下导通电阻低至24毫欧@7A，能够有效降低功率损耗。同时，最大栅极电荷仅为5.2nC，确保了快速的开关速度，适用于高频开关应用。20V的漏源电压和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）使其能够适应多种严苛的工业环境。
基本参数：
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