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零件图片（仅供参考）
AON6512
规格参数

AON6512是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为高效功率管理设计。其核心优势在于极低的导通电阻（1.7毫欧 @10V, 20A）与栅极电荷（64nC @10V），这共同确保了在30V漏源电压下具有卓越的传导效率和快速的开关性能。

器件提供高达54A（Ta）/150A（Tc）的连续漏极电流处理能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于高电流密度和宽温度范围的应用环境。这些参数使其成为同步整流、电机驱动和高性能DC-DC转换器等应用的理想功率开关解决方案。

  • 制造商产品型号：AON6512
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：不用於新
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：54A（Ta），150A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.7 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：64nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3430pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：7.4W（Ta），83W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6512
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6512的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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