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AO4611是AOS推出的一款采用8-SOIC封装的N沟道与P沟道MOSFET互补阵列。该器件专为逻辑电平驱动设计，其栅极阈值电压最大为3V，可直接由标准3.3V或5V数字信号控制，简化了驱动电路设计。

其核心电气参数体现了高效能与可靠性的结合。器件具备60V的漏源击穿电压，提供充足的电压裕度。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至25毫欧@6.3A，有助于最小化传导损耗。同时，较低的栅极电荷（58nC @10V）和输入电容确保了快速的开关速度，适合高频开关应用。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。

• 型号:AO4611
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 6.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300pF @ 30V，2900pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO4611，AOS产品一站式供应商。