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零件图片(仅供参考)
AOD661
规格参数

AOD661是AOS公司生产的一款表面贴装型双N沟道功率MOSFET阵列,封装形式为TO-252-4L(DPak)。该器件集成了两个独立的30V耐压、12A连续电流能力的N沟道MOSFET,其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs和12A Id条件下,RDS(on)最大值仅为16.5毫欧,能显著降低导通损耗,提升系统效率。

此外,器件具备较低的栅极电荷(最大15nC @ 4.5V)和输入电容(最大760pF @ 15V),支持快速开关操作,有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。其宽工作结温范围(-55°C至150°C)和良好的逻辑电平兼容性(Vgs(th)最大2.5V),使其成为高密度、高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。

  • 制造商产品型号:AOD661
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET 2 N-CH 30V 12A TO252-4L
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Tc)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):16.5 毫欧 @ 12A,10V,22.5 毫欧 @ 9.7A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V,15nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):760pF @ 15V
  • 功率-最大值:15.6W,31W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOD661
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET 2 N-CH 30V 12A TO252-4L
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AOD661的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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