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AOD661是AOS公司生产的一款表面贴装型双N沟道功率MOSFET阵列，封装形式为TO-252-4L（DPak）。该器件集成了两个独立的30V耐压、12A连续电流能力的N沟道MOSFET，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和12A Id条件下，RDS(on)最大值仅为16.5毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统效率。

此外，器件具备较低的栅极电荷（最大15nC @ 4.5V）和输入电容（最大760pF @ 15V），支持快速开关操作，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）和良好的逻辑电平兼容性（Vgs(th)最大2.5V），使其成为高密度、高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。

• 型号:AOD661
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252-4L
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 12A TO252-4L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16.5 毫欧 @ 12A，10V，22.5 毫欧 @ 9.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 4.5V，15nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:760pF @ 15V
• 功率 - 最大值:15.6W，31W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
• 供应商器件封装:TO-252-4L
• AOD661，AOS产品一站式供应商。