AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AO6800L_003及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6800L_003是一款集成双N沟道逻辑电平MOSFET的阵列器件，采用SOT-457（SC-74）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，Rds(on)最大值仅为60mΩ @ 10V，Qg最大值仅为10nC @ 10V，这共同确保了在高频开关应用中具备出色的效率与低驱动损耗。
该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流达3.4A，并支持-55°C至150°C的宽结温范围，为紧凑型电源管理、电机驱动及负载开关设计提供了可靠的功率开关解决方案。其逻辑电平门控特性（Vgs(th) ≤ 1.5V）使其可直接由微控制器等低压数字信号源高效驱动。
基本参数：
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询