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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6528是一款由AOS推出的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（6.3毫欧 @ 20A, 10V）与优化的开关特性（栅极电荷仅22nC），这共同确保了在同步整流和DC-DC转换等场景中实现最低的传导与开关损耗。
该器件额定值为30V漏源电压与30A连续漏极电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，提供了稳健的电气性能与宽泛的工作温度范围。其紧凑的表面贴装封装适合高密度PCB布局，是提升现代电源系统功率密度与效率的关键元件之一。
基本参数：
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