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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF095A60是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，具备600V漏源电压（Vdss）和38A连续漏极电流（Id）的额定能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其核心优势在于优异的导通特性，在10V Vgs驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值低至95毫欧，同时栅极电荷（Qg）仅为78nC，这共同实现了低传导损耗与快速开关性能的平衡，有助于提升系统整体效率。器件采用TO-262F封装，工作结温范围达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。
基本参数：
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