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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF8T50P_001是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220F通孔封装，专为高压开关应用而设计。其核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），提供了稳健的功率处理能力。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值为810mΩ，有助于降低导通损耗。同时，其低栅极电荷（Qg，最大值19nC）和低输入电容（Ciss，最大值905pF）是其关键优势，能显著降低开关损耗并允许更高频率的操作，从而提升电源系统的整体效率。其工作结温范围为-55°C至150°C，适用于严苛的环境。
基本参数：
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