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AOTF8T50P_001是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220F通孔封装，专为高压开关应用而设计。其核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），提供了稳健的功率处理能力。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值为810mΩ，有助于降低导通损耗。同时，其低栅极电荷（Qg，最大值19nC）和低输入电容（Ciss，最大值905pF）是其关键优势，能显著降低开关损耗并允许更高频率的操作，从而提升电源系统的整体效率。其工作结温范围为-55°C至150°C，适用于严苛的环境。

• 制造商产品型号：AOTF8T50P_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：810 毫欧 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：905pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：38W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220F
• AOTF8T50P_001，AOS产品一站式供应商。